首页 > 新闻动态 > 媒体公告
媒体公告 常见问题

韩国SKMP开宣布高厚度KrF光刻胶助力3D NAND闪存制作

来源:杏彩体育官网登录入口发表日期:2023-12-13 00:51:12浏览量:1

  SK Materials Pemance(SKMP)已开宣布一种高厚度KrF光刻胶,并通过了SK海力士的功能验证,这将有利于SK海力士3D NAND闪存的技能开发。

  据悉,SKMP开发的新式KrF光刻胶厚度为14~15微米,与东进半导体(DONGJIN SEMICHEM)向三星供给的产品类似,而日本JSR公司的类似产品厚度仅为10微米。

  光刻胶的厚度关于进步3D NAND闪存工艺处理功率有较大协助,可是更高的厚度也代表着技能难度更高,由于化学资料的粘性或许会引起涂层外表不平坦,这也是东进半导体现在仍是三星这类产品仅有供给商的原因。跟着SKMP参加竞赛,SK海力士将能够用这款KrF光刻胶出产238层3D NAND闪存。

  SKMP很或许替代日本JSR的主导地位,成为其主要的供给商。现在,SK海力士238层3D NAND闪存晶圆的月产能约为5000片,估计未来将逐渐提高产能,然后带动SKMP公司光刻胶的销量。

  SK海力士于2023年8月展现了世界首款321层NAND闪存芯片样品,归于TLC 4D NAND,容量高达1Tb,估计产品将于2025年量产。

  原文标题:韩国SKMP开宣布高厚度KrF光刻胶,可助力3D NAND闪存制作

  文章出处:【微信号:Smart6500781,微信大众号:SEMIEXPO半导体】欢迎增加重视!文章转载请注明出处。

  几至几百微米。涂覆晶片通过前烘并冷却至室温。在烘干过程中,优先挑选加热均匀且温度操控准确的加热板;不可以运用鼓风干燥箱,避免由于

  /㎝²条件下进行曝光。曝光完毕后,挑选正真合适的烘烤温度及时刻。将晶片在显影液中浸渍显影,随后用氮气吹干。AZ

  中的关键技能:配方技能、超洁净技能、超微量分析技能及使用查验测验才能。 制程特性要求有:涂布均匀性、灵敏度、分辨率及制程宽容度。2

  ,与2月份日本福岛东部海域产生7.3级地震有极大相关。地震导致信越化学

  大涨9.72%,雅克科技大涨9.93%,强力新材、上海新阳、彤程新材等跟涨。

  用光敏资料仍归于“卡脖子”产品,海外进口依靠较重,不同质量之间价 格差异大。以国内 PAG 对应的化学放大型

  需求稀释吗? /

  为14至15米,与东进半导体(DONGJIN SEMICHEM)向三星供给的产品类似。日本jsr

  国内市场及国产化率详解 /

  iPhone 15 Pro系列晋级:灵动岛、USB-C、3nm、A17 Pro

  正交混频器(Quadrature hybrids)的规划及仿真事例共享

  运放的两个输入端,同相和反相,有关极性的隐秘#跟着UP主一同创造吧 #硬件规划遇到过哪些坑?

上一篇:光刻胶:揭秘中国为何需要突破这个卡脖子难题

下一篇:突破光刻胶三大壁垒国产替代需抓住两个关键点

返回列表
Copyright © 2004-2020  杏彩体育官网登录入口 版权所有  京ICP备14056226号    京公网安备1101102001196号