11月3日，上海新阳公布定增预案，公司拟定增募资不超过14.50亿元，其中8.15亿元拟投资于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，主要开发集成电路制造中ArF干法工艺使用的光刻胶和面向3D NAND台阶刻蚀的KrF厚膜光刻胶产品及配套试剂，力争于2023年前实现上述产品的产业化，打破国外垄断，填补国内空白，达到国际先进的技术水平。

  公告显示，公司自2017年开始筹备研发光刻胶项目，目前部分核心技术已取得突破，ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶均已形成实验室成果，正在进行中试及后续验证推进。

  根据规划，项目预计KrF厚膜光刻胶2021年开始实现少量销售，2022年可实现量产，预计ArF（干式）光刻胶项目在2022年可实现少量销售，2023年开始量产，预计当年各项产品营销售卖收入合计可达近2亿元。

  该项目研发及产业化成功后，上海新阳将掌握包括光刻胶主要原料纯化工艺、产品配方、生产工艺和应用工艺技术在内的、具有完整知识产权的ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶的规模化生产技术，可实现两大类光刻胶产品及配套试剂的量产供货，并预计将取得20以上发明专利。

  据悉，上海新阳光刻胶项目已制定产品路线图。该公司购买了三台光刻机，目前已有一台到厂运行，为ASML 1400型号的光刻机，该光刻机最高可以覆盖到55nm。根据公司光刻胶项目进度的需要，今年会加大对光刻胶项目的投入。目前，其光刻胶项目已完成实验室研发阶段，开始中试准备。

  无独有偶，就在前不久，宁波经济技术开发区传来消息，宁波南大光电材料有限公司的首条ArF光刻胶生产正式投产。按照计划，该项目总投资6亿元，项目完全达产后，预计实现约10亿元的年销售额，年利税预计约2亿元。目前，该公司研制出的ArF(193nm)光刻胶样品正在供客户测试。

  2020年4月16日，ASML型号为XT 1900的193nm ArFi光刻机正式搬入宁波南大光电有限公司，这台光刻机最高可以做到10nm。

  南大光电光刻胶项目在2018年就开始启动。南大光电于2018年12月公告，称由其作为牵头单位承担的国家“02专项”ArF光刻胶产品的开发与产业化项目，已经国家科技部批准立项。该项目总投资额为6.56亿元。项目拟通过3年的建设、投产及实现销售，达到年产25吨193nm（ArF干式和浸没式）光刻胶产品的生产规模，产品满足集成电路行业需求标准。同时建成先进光刻胶分析测试中心和高分辨率光刻胶研发中心。

  到了2019年12月，南大光电又对ArF光刻胶产品的开发与产业化项目实施主体的全资子公司宁波南大光电进行增资2.6亿元，并引进宁波金帆、天津南晟及许从应对其合计投资8000万元。

  南大光电还称，ArF（193nm）光刻胶产品开发技术突破难度大、工艺要求高，且实现稳定量产周期较长，后续是否能取得下游客户的订单，能否大规模进入市场仍存在较多的不确定性。

  除上海新阳、南大光电之外，国内还在进行半导体制造用光刻胶研发或生产的企业有苏州瑞红、科华微、潍坊星泰克等。

  苏州瑞红承担并完成了国家02重大专项“i线光刻胶产品开发及产业化项目，i线光刻胶已向国内知名的半导体厂商供货，KrF光刻胶完成中试，达到了0.25-0.13um的技术要求，建成了中试示范线nm半导体制程的高端半导体芯片制造所用的ArF光刻胶100%需要进口，其中超过90%为日本制造，ArF高端光刻胶产品在国内一直是空白。到目前为止，欧美及日本等国家仍对中国禁止输入ArF光刻胶技术。

  而在下业3D NAND的光刻技术发展中，KrF光刻技术占主要地位，但目前该种类的光刻胶多为日韩、欧美等国家提供，代表现阶段及未来5年内处于主流地位的3D NAND制造用的厚膜光刻胶仍难觅国内光刻胶供应商踪影。因此，中国想要掌握ArF和KrF厚膜等高端光刻胶技术，国产化替代势在必行。

  EUV光刻技术是21世纪光刻领域的最新研发进展，EUV的曝光波长为13.5nm，这为相应的光源、光罩和光刻胶的设计和使用带来了前所未有的挑战。2020年11月，BusinessKorea报道，韩国本土企业在EUV光刻技术方面取得重大进展。

  报道显示，韩国公司正在迅速缩小其在极紫外光刻技术上与外国公司的差距。2019年，韩国本土提出的专利申请数量为40件，超过了国外企业的10件。这是韩国提交的专利申请首次超过国外。2020年，韩国提交的申请数量也是国外的两倍多。

  过去10年，包括三星电子在内的全球企业进行了密集的研发，以确保技术领先地位。最近，代工公司开始使用5nm EUV光刻技术来生产智能手机的应用处理器。

  从公司来看，全球六大公司的专利申请数占了总数的59%，卡尔蔡司（德国）18%，三星电子（韩国）15%，ASML（荷兰）11%，S&S Tech（韩国）8%，台积电（中国台湾）6%，SK海力士（韩国）1%。

  ASML第三季度财报数据显示，当季ASML共获得60台光刻机的出售的收益，总额共31亿欧元，其中EUV光刻机14台，收入占比达到了66%。显然随着先进制程的不断演进，EUV光刻技术成了全球半导体龙头企业的兵家必争之地。以EUV光刻胶为例：

  全球能够生产光刻胶的企业比较少，主要由美国Shipley（已被陶氏收购）、Futurrex；德国Microresist Technology、Allresist；日本东京应化、JSR、信越化学、住友化学；瑞士GES；韩国东进化学、东有精细化学；台湾长春集团、亚洲化学等，这些企业占据全球超过95%的市场份额。

  由上图可见，目前EUV光刻胶所占的份额还小。光刻胶市场主要还集中在g/i线、KrF、ArF光刻胶上。TECHCET多个方面数据显示，2020年全球EUV光刻胶市场预计将超过1000万美元，并且未来3年内增速将超过50%。

  目前EUV光刻胶的市场几乎日本TOK、信越化学、JSR所占据。但不少其他光刻胶企业也在虎视眈眈。

  2020年初，日经消息称，杜邦将扩建位于韩国中部天安市的现有工厂，生产EUV光刻胶。计划首先投入2800万美元，确立量产技术，最早于2021年启动量产投资。

  2020年10月据日经亚洲评论报道，FUJIFILM 和住友化学最早将于2021年开始供应下一代芯片制造的光刻胶。其中FUJIFILM将投资45亿日元用于日本静冈县的生产设备，该厂最早将于明年开始量产；住友化学计划在2022财年之前，为大阪的一家工厂投入从研发到生产的全部光刻胶产能。

  2020年10月，据日经报道，日本信越化学将斥资约2.85亿美元在日本和中国台湾地区兴建工厂，其中台湾工厂预计于2021年2月开始量产，可生产与EUV光刻技术兼容的光刻胶。

  中国光刻胶生产技术与国际先进产品相差几代。现有的多家企业虽已能满足PCB用光刻胶的生产，并能供应部分FPD用光刻胶，但对于高端IC用光刻胶领域仍然停留在初级阶段，国产化率极低。对于最前沿的EUV光刻胶，目前有研发的仅有科华微一家。而目前国内EUV光刻胶研发最大的难题在于目前国内进不来EUV光刻机！

  将于2020年12月30-31日召开。光刻胶国产化将是重要议题之一。如果您有意向了解会议详情，欢迎您尽快与我们联系：

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