光刻胶是集成电路芯片大规模制作的要害资料，在技能开展到深紫外（DUV）、极紫外（EUV）光刻阶段后，光刻胶对光源的敏感度缺乏，大大推高了光刻机及其配套光源的制作难度和本钱。近来，清华大学核能与新动力技能研讨院新式动力与资料化学团队将高效的巯基-乙烯点击化学技能与多官能团金属氧化物纳米团簇光刻胶技能相结合，全球初次提出了“点击光刻”新思路、新方法，并成功制得了超高感光度光刻胶样品。世界权威机构的光刻测验依据成果得出，这样一种资料能在极低曝光剂量下完成高对比度成像。在深紫外光刻中最高感光度为7.5 mJ cm-2，与传统的光刻胶体系比较所需曝光剂量下降了约20倍。

  与此同时，经过低剂量电子束光刻（10-40 μC cm -2）取得线nm的密布图形，展现了其应用于高分辨率光刻的才能。接下来作者还对制备得到的根据点击反响的氧化锆光刻胶的后加工性质、抗刻蚀才能及图形搬运才能等进行了开始研讨。

  该研讨成果不只能有力支撑新式高效光刻胶的开发，更有望带来光刻机及其配套光源体系模块规划、制作、运转的严重革新，大幅度的下降难度和本钱，有或许拓荒光刻机技能新赛道，对集成电路技能进步和工业高质量开展发生深远影响。该技能也能够在其他高效、高精度纳米制作范畴发挥严重效果。

  论文的一起通讯作者为清华大学核能与新动力技能研讨院新式动力与资料化学实验室徐宏副教授和何向明研讨员，榜首作者为清华大学博士后王倩倩。该研讨取得国家自然科学基金项目、北京市科委项目和清华大学自主科研项目的赞助。清华大学高性能核算中心供给了核算资源的支撑。