在芯片制作的完整过程中，为了将掩模版上的设计线路图形转移到硅片上，第一步是要通过曝光工艺（光刻）来实现转移，然后通过刻蚀工艺得到硅图形。光刻技术最早应用于印刷行业，并且是早期制造PCB的主要技术。自20世纪50年代开始，光刻技术逐步成为集成电路芯片制造中图形转移的主流技术。

  过去几十年里，芯片制造商一直使用193nm波长的ArF深紫外(DUV)光刻技术来生产芯片。

  不过随着集成电路制造工艺持续微缩，尤其在进入7nm、5nm时代后，芯片集成度不断的提高，在追求更高的图形密度的目的之下，无论如何改进ArF光的生产的基本工艺，都无法再满足相应需求。

  因为在7nm节点集成电路产品工艺技术的开发上，采用193浸式（193i）光刻技术有必要进行四重曝光，这在某种程度上预示着需要多次更换掩膜版，使得在多重对准方面面临极大的挑战，良品率难以提高、量产难度增大。

  为解决这一问题，极紫外（EUV）光刻技术适时而生。因其波长短（13.5nm）、分辨率比较高，可以在一定程度上完成更好的保真度，且只需进行单次图形曝光，减少了掩模版数目，促成了更高的成品率，因此成为应用于10nm以下，比DUV多重曝光技术成本更低的一种光刻技术。

  然而，当工艺推进至5nm节点时，即使采用EUV技术，也有必要进行双重曝光，这样才能轻松的获得更为紧密的图案间距。

  另外必须要格外注意的是，根据摩尔定律，芯片集成的晶体管数目与日俱增，尽管对工艺的要求慢慢的升高，但行业始终面临着相当大的瓶颈——即分辨率的提高，而现实是更小波长的光刻机难于制造。

  因此考虑到在最先进的工艺下单掩膜 EUV 分辨率面临的挑战以及双重曝光 (DP) 光刻-蚀刻-光刻-蚀刻 (LELE) 工艺固有的对齐问题，自对齐多重曝光工艺发展为行业趋势。

  现下，最常见的自对齐多重曝光技术被称为自对齐双重曝光 (SADP)，同时SADP 中所用的技术也可轻松沿用至自对齐四重曝光 (SAQP)。

  但问题又来了：在使用掩膜印制电介质阻挡的过程中，通常缩小至小于新工艺的间距会增加工艺变异，从而增加对阻挡的可印制性约束。因此，必须优化阻挡形状的放置，然而通过添加冗余金属的技术则必须要考虑增加的电容问题。

  所以自对齐光刻-蚀刻-光刻-蚀刻（SALELE ）工艺出现了，其不添加任何冗余金属，意味着没有额外的电容，可以说，该技术结合了自对齐多重曝光和 LELE 工艺多个方面。

  如今，自对齐多重曝光工艺已成为最先进工艺的必要条件，可避免与 DP/TP/QP LEn工艺相关的未对齐问题，并提高了图形保真度；而这其中，IMEC 和 Mentor共同创建、优化、设计和支持的可用来生产的SALELE 工艺，则具备一些更有前景的优势。关键字：引用地址：EUV光刻技术的杰作，5nm及以下节点的多重曝光工艺

  高通正式发布了骁龙 780G 5G 处理器，这是去年相当成功的骁龙 765 阵容的继任者，这也是该公司首次推出的 “高端”7 系列产品，拥有与旗舰产品骁龙 800 系列上相同的高端功能，尽管性能会有所降低。 全新的骁龙 780G 在继承前作的基础上，在性能和多媒体能力方面做了一些大的升级，大核数量增加了一倍 --GPU 性能大幅度的提高，并采用了性能更强的全新融合 AI 引擎与全新 Hexagon 770 DSP。此外，在全新 Spectra 570 三摄的加持下，相机拍摄能力也有了很大的提升。 ▲图片来源于 @AnandTech 在核心方面，新的骁龙 780G 与上一

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  AMD称与合作伙伴IBM已经制造了一个工作“测试芯片”，该技术在器件中关键层利用了EUV（超紫外线）光刻技术。 以前利用EUV的项目生产工作芯片的项目仅仅在“狭窄领域”和涵盖极小部分的设计的具体方案。 AMD、IBM以及他们的合作伙伴的UAlbany NanoCollege的Albany纳米技术联合体的成果将由AMD出席SPIE提交论文。这个论文将显示“全领域”EUV光刻技术集成到涵盖22*33mm AMD 45nm节点的测试芯片的制造工艺。 AMD的测试芯片最初进入其位于德国Dresden的Fab 36工厂，该工厂使用的是193nm沉浸光刻技术。测试芯片晶圆被运输到IBM位于纽约Albany的Nanoscale科

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  推动晶体管往5nm以下节点微缩是VLSI工业的核心问题之一，因为越变越小的晶体管带来了各种各样的挑战，全世界也正在就这样的一个问题进行一些深入研究以克服未来技术节点的挑战。 在本文，我们回顾了包括如碳纳米管FET，Gate-All-Around FET和化合物半导体在内的潜在晶体管结构和材料，他们被看做解决现有的硅FinFET晶体管在5nm以下节点缩放的问题。 半导体时代始于1960年，是伴随着集成电路的发明而开启的。在集成电路中，所有有源/无源元件及其互连都集成在单个硅晶圆上，这就使得它们在便携性、功能性、功耗和性能方面具有领先的优势。而在过去几十年里，VLSI行业也在摩尔定律的“指导”下加快速度进行发展。所谓摩尔定

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  台积电日前于南科举行其晶圆十八厂5nm动土仪式。 台积电董事长张忠谋表示，台积电5nm晶圆厂得以动工，此举象征台积电持续支持摩尔定律的承诺，以及深耕台湾的决心，更象征台积电进入下一个里程碑。 张忠谋指出，此次5nm的建厂对台积电来讲代表三层意义，第一层意义是台积电技术持续往前推动的承诺；第二层意义是台积电对未来成长目标的承诺，目前5nm的资本投资约5,000亿新台币左右，要把这5,000亿的投入赚回， 初估须五年赚回1.5兆亿的营收，对此张忠谋深具信心并表示，台积电未来的五年营收预计会有5~10%(以美元计算)的快速成长。 台积电预计5nm会在2020年进入量产，届时台积电将会是第一个5nm的生产者。 未来不仅是5nm建在南科，随

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  苹果2020年下半年将推出四款iPhone 12系列智能型手机，除搭载运算效能更强大的A14 Bionic处理器，也会搭载高通Snapdragon X55调制解调器，并依各国5G网络不同而仅支援Sub-6GHz、或同步支援Sub-6GHz及mmWave（毫米波）。供应链业者指出，苹果A14采用5纳米制程，高通X55采用7纳米制程，晶圆代工订单由台积电通吃，其中，苹果A14将在第二季底开始量产，并包下台积电三分之二的5纳米产能。 台积电2019年及2020年资本支出提升至140～150亿美元，用于增加7纳米产能及加速5纳米产能建置。苹果2019年推出的iPhone 11系列销售优于预期，加上2020年上半年将推出低价版iPhon

  台积电于新竹国宾饭店举办一年一度的「供应链管理论坛」，台积电总裁魏哲家表示，在供应商的配合下，「让7纳米能在2018年迅速且量产成功。」 魏哲家表示，2019年第二季5纳米制程将进行风险试产，预计2020年量产。而3纳米的技术也都已经到位，「一切就等环评通过。」 魏哲家表示，台中厂未来将会继续建置7纳米厂房；而年初在南科动土的5纳米晶圆18厂，目前已经在装机中。另外由于特殊制程需求强劲，15 年来首度在台南扩建8吋晶圆厂。 虽然手机需求疲软，让整个供应链出货并不乐观，但看好未来5G和AI的需球，台积电仍积极开发领先全球的纳米制程，预计每年将维持5%~10%的营收成长。 台积电总裁魏哲家宣布，明年第二季5纳米将

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