疯狂的读者倾向于重视运用前沿工艺技能制作的微电子产品，就英特尔而言，这在某种程度上预示着未来几年将运用高数值孔径极紫外 （EUV） 光刻技能。上一年年末，ASML开端向英特尔交给其下一代EUV光刻机——首款高数值孔径极紫外（EUV）Twinscan EXE：5000 High-NA EUV光刻体系，最近现已装置在了英特尔俄勒冈工厂。英特尔还发布了一个夸耀视频：

  可是，英特尔的High-NA EUV现在仅用于研讨和开发意图。毋庸置疑，咱们将在未来几年内运用的绝大多数芯片都将仍是用Low-NA EUV光刻东西制作，而不是High-NA EUV。

  这便是为什么ASML的最新公告特别引人注意图原因。ASML本周交给了其第一台更新的Low-NA EUV Twinscan NXE：3800E光刻机，用于晶圆厂装置。NXE：3800E是该公司0.33数值孔径（Low-NA）光刻扫描仪系列的最新版别，旨在制作2nm和3nm级技能的芯片。

  ASML 没有发布该机器功用的完好细节，但该公司之前的道路E 将供给更高的晶圆吞吐量和更高的晶圆对准精度 - ASML 称之为“匹配机器掩盖”。依据该道路图，ASML 估计运用其第五代低数值孔径 EUV 扫描仪每小时可加工 200 片晶圆，这将标志着该技能的一个重要里程碑，由于EUV光刻技能的缺陷之一是其吞吐率低于当今经过充沛研讨和调整的深紫外（DUV）机器。

  关于 ASML 的逻辑和内存晶圆厂客户（现在名单上一共只要大约六家公司）来说，更新的光刻机将协助这些代工厂持续改善和扩展其顶级芯片的出产。即便首要晶圆厂正在经过额定设备扩展运营规划，进步现有设备的吞吐量仍然是满意产能需求和下降出产所带来的本钱（或至少操控出产所带来的本钱）的重要因素。

  虽然 EUV 光刻机并不廉价——一台典型的光刻机本钱约为 1.8 亿美元，而 Twinscan NXE:3800E 的本钱或许更高——但彻底摊销这些机器还需要一段时间。与此同时，交给更快的一代 EUV 光刻机将对 ASML 发生严重的财政影响，ASML现已享有作为这种要害东西的仅有供货商的位置。