集微网消息，据新闻媒体报道，日本住友化学子公司东友精密化学（Dongwoo Fine-Chem）正准备上调光刻胶价格，该公司已通知韩国半导体公司，称由于原材料和劳动力费用不断上涨，KrF和L系列光刻胶价格将上涨10-20%。

  韩国半导体业内的人表示：“东友精密化学最近几年以收益性恶化等为由上调了KrF、I-line 光刻胶产品价格。据我所知，每年向母公司分红1000亿韩元以上，从国内企业的立场来看，他们的主张令人难以接受。”

  晶圆代工行业有关人员认为：“如果光刻胶价格上涨，从代工的立场来看，只能转嫁给客户公司一部分。东友精密化学上调光刻胶价格不仅会导致代工，还会导致整个Fabless行业的收益性恶化。”

  据悉，光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括光引发剂、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。

  电子材料市场研究机构TECHCET数据显示，光刻胶市场预计将在2024年反弹，同比增长7%，市场规模达到25.7亿美元；2022-2027年间复合年增长率为4.1%。TECHCET指出，受先进逻辑工艺与存储器等新技术驱动，增长最快的细分领域为EUV和KrF光刻胶。此外，用于成熟制程（如i、g和KrF/248nm）的光刻胶材料也将继续推动市场增长。

  彩屏显示作为信息交互的重要手段，可以交付复杂而丰富的人机交互数据，传统彩屏显示常用于仪器仪表、空调面板、智能家居、汽车仪表盘等人机交互界面显示场景中，通过丰富的颜色、生动的图像形式展示产品的运行参数信息，具有高分辨率、低延时、屏显信息多元化、低功耗等特点，屏显尺寸通常为2-7寸，为此需要较高性能的MCU，比如M3/M4高主频内核，搭配硬件解码，独立显存，及成套开发环境，以实现彩屏驱动。

  近来，由于小尺寸串口屏的普及，使得消费类产品也逐步选用彩屏显示，比如，广泛应用于电子烟的0.96寸小彩屏，为此，澎湃微带来了一系列彩屏驱动解决方案：

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  集微网消息，随着人工智能对AI芯片的需求不断增长，三星、SK海力士都致力于扩大HBM高带宽存储芯片业务，以加强与英伟达、AMD等客户的合作。美国政府正努力推动人工智能半导体的本地生产，近日有业内消息称三星、SK海力士正在商讨在美国生产HBM。

  SK海力士于2022年7月宣布将投资150亿美元在美国建立存储芯片封装工厂和研发中心，不过选址至今尚未确定。业界预计，SK海力士将选择生产HBM芯片，并优先实施TSV硅通孔技术。

  三星已经开始在得克萨斯州泰勒市建造晶圆厂，该工厂极有可能包含HBM产线。业内人士指出，从第五大HBM（HBM3e）开始，芯片有望采用3nm~5nm工艺生产，因此该工厂将发挥重要作用。

  业内的人表示，一方面HBM产品附加值很高，产品售价是标准DRAM的7倍，可以抵消美国本土劳动力成本的劣势；另一方面许多客户如英伟达、英特尔、AMD等都来自美国，同样适合三星、SK海力士选址在美国生产。此外，美国的《芯片法案》还针对美国本土芯片制造提供补贴。

  据市场调查机构Gartner预测，2022到2027年，全球HBM市场规模将从11亿美元增至52亿美元，复合年均增长率（CAGR）为36.3%。同期，HBM容量需求将从1.23亿GB增加到9.72亿GB，复合年均增长率为51.3%。三星、SK海力士、美光这三大DRAM企业将从中受惠。

  集微网消息，此前有消息称，德国预算危机可能对提供数十亿欧元投资补贴计划造成影响，日前德国官员证实，对台积电和英特尔的设厂补贴不变，强调全国都可从这些投资受益。

  德国联邦法院11月15日判决，联邦政府将2021年抗疫预算资金挪用做“气候与转型基金（Climate and Transformation Fund）”的做法违宪，这笔协助转型低碳经济的基金规模达600亿欧元，导致德国政府的运作因预算缺口陷入危机。由于这笔资金也包含对半导体厂商设厂的补贴，因此业界担忧德国政府对台积电及英特尔的承诺是否会出现变化。

  更有知情人士指出，若德国减少补贴承诺，台积电恐或将重新协商在德国设厂的条件，最坏情况是不得已取消计划。

  历经一个月的协商，德国政府化解了预算僵局，经济部次长卡尔纳（Michael Kellner）证实，对台积电和英特尔的建厂补贴不变。

  台积电计划在萨克森州（Sachsen）首府德累斯顿（Dresden）建设欧洲第一座工厂，投资规模超100亿欧元，德国政府承诺补贴50亿欧元；英特尔计划在马格德堡（Magdeburg）投资300亿欧元，可望获得99亿欧元补贴。

  集微网消息，台积电在IEEE国际电子器件会议（IEDM）的“逻辑的未来”小组上透露，台积电1.4nm级制造技术的开发进展顺顺利利地进行。台积电强调，使用其2nm级制造工艺的量产有望在2025年实现。

  根据SemiAnalysis的Dylan Patel发布的幻灯片，台积电的1.4nm生产节点正式命名为A14。目前，台积电尚未透露计划何时开始A14量产时程及其规格，但鉴于N2计划于2025年末、N2P计划于2026年末，因此能合理猜测A14会在此之后2027-2028年间推出。

  但目前仍尚不清楚，台积电是否会采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CEFT）结构，或是沿用2nm制程将采用的环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）。

  仍有待观察的是，台积电是否会在2027年至2028年期间为其A14工艺技术采用高数值孔径EUV（High NA EUV）光刻机。

  鉴于彼时英特尔等将采用并完善数值孔径为0.55的下一代EUV光刻机，芯片代工厂商应该更容易地使用它。然而，由于高数值孔径EUV光刻机将掩模版尺寸减半，其使用将为芯片设计者和芯片制造商带来一些额外的挑战。

  集微网消息，12月14日，市调机构TrendForce在报告中指出，在美国、日本及荷兰三方对先进设备的出口管制影响下，中国大陆转而扩大投入成熟制程（28nm及更成熟的制程），预计2027年中国大陆成熟制程产能占比可达39%，且若设备取得进度顺利，仍有增长空间。

  此前TrendForce表示，中国大陆企业中，中芯国际（SMIC）、华虹集团（HuaHong Group）、合肥晶合集成（Nexchip）扩产最积极，扩产将聚焦于驱动芯片（Driver IC）、CIS/ISP与功率半导体分立器件（Power Discrete）等特殊工艺。

  在先进制程（含16/14nm及更先进的制程）方面，TrendForce称，2023年中国台湾在全球先进制程产能占比拥68%，其次依序为美国12%、韩国11%及中国大陆8%。预估至2027年美国的先进制程产能占比将增长至17%，但台积电及三星仍占逾半数的产能。

  整体来看，2023年中国台湾占全球晶圆代工产能约46%，其次依序为中国大陆26%、韩国12%、美国6%、日本2%。