由于芯片进行光刻工艺时，是使用投影原因，光线将芯片电路图，照射在涂了光刻胶的硅晶圆片上，然后光刻胶见光就会发生变化。

  与光刻机对应，光刻胶也按工艺区分，有g线、i线、KrF、ArF、EUV这么5种。

  国内g线、i线、KrF工艺上可以出产光刻胶，但自给率不高，g线年前国内自给率根本接近于0，至于EUV就想都没想了，现在全球仅日本可以出产EUV光刻胶。

  从全球光刻胶商场来看，日本把握最抢先的光刻胶配方和工艺，东京应化、JSR、富士、信越化学、住友化学等日本厂商占有80%以上商场份额。

  这样的状况，对我国芯的开展，当然十分晦气，所以跟着国产芯片大开展，供应链也是团体打破，所以这几年国内也有几家光刻胶企业，在向ArF建议冲击，想要在14nm及以上的工艺上完成0的打破，打破国外独占。

  2022年就有好几家企业表明，自己出产的ArF光刻胶，现已完成了60nm、45nm等工艺的掩盖，而且接到了订单等。

  而6月2日，国产光刻胶大厂南大光电在互动平台上称，公司开发了多款ArF光刻胶鄙人游客户处验证，制程掩盖28nm~90nm。

  很明显，南大光电再次打破了国外独占，究竟28nm工艺的光刻胶，之前国内是彻底出产不出来的，只能从日本进口。

  现在美国正在逆全球化，联手日本、荷兰等，对我国半导体工业进行镇压，所以半导体供应链安全至关重要，光刻胶作为半导体工业中心原资料，技术壁垒高，质料自主可控尤为要害。

  期望更多的厂商，可以在光刻胶、光刻机等等设备和资料上，不断的打破，打破国外的独占，让国外无法卡咱们的脖子。

  一起国产晶圆厂，也应该尽力的加强与国产供应链的协作，及时试用产品，加速产品验证与导入速度，给国产供应链以更好的生长环境和根底。