光刻机大家都清楚了，那么光刻胶又是什么呢？是指在光刻前涂在硅晶圆上的材料，只有涂了光刻胶的硅晶圆，才能够用光刻机将电路图刻到硅晶圆上。

  而光刻胶按照技术难度、工艺等可大致分为5种，分别为g线、i线、KrF、ArF、EUV。前两种是最常见的，也是最低端光刻胶，用于250nm以上工艺。

  而KrF通常用于250nm-130nm工艺；ArF通常用于130nm-14nm，最多能够适用于7nm DUV工艺；EUV光刻胶就是配合和EUV光刻机的了，通常用于7nm及以下工艺。

  目前国内光刻胶的自给率大约在10%左右，还可以生产的光刻胶，一般是g线、i线、KrF光刻胶，至于ArF、EUV光刻胶？不好意思，生产不了，主要得从日本进口。

  不过在去年12月份，国内有一家厂商南大光电表明了自己研发出了KrF光刻胶，已经通过验证，可用于45nm工艺，当时很多人质疑，称是不是吹牛？

  而前天，在南大的业绩说明会上，南大光电正式表示，自己的ArF光刻胶已拿下第一笔订单，性能达到了日本产品的同等水平，得到了一家闪存客户的认可和使用。

  不仅如此，南大光电还表示，自己的ArF光刻胶的相关原材料和生产设备已实现国产化，制程工艺能够完全满足45nm-90nm光刻需求，不需要依赖国外，产能是25吨每年。

  南大光电其实是在2017年就开始研发ArF光刻胶的，到现在已经3年多时间，才成功产出，并有了第一家客户使用，可见真的不容易。

  当然，从制程工艺术来看，45-90nm也不算特别先进，但ArF光刻胶最多是能轻松实现到7nm DUV工艺，只要能够生产ArF光刻胶了，那么再调整精度，相信达到7nm也不是非常大的问题了。

  我们知道在2019年时，日本对韩国限制出口光刻胶，韩国马上就急了，因为光刻胶是是集成电路制造领域的重要关键材料，光刻工艺中必须用到，也是产业上游自主化的关键。

  目前外部形势紧张，国内企业的光刻胶进口供货持续紧张，国产替代的呼声又这么高，现在ArF光刻胶能够自主化了，对于中国芯而言，不仅有着现实意义，同时也有着长远的重大意义，是真正的大突破了！

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