是不可或缺的资料，其质量和功能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的重要的条件。但光刻胶技能门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品寥寥无几。当半导体制作节点进入到100nm乃至是10nm以下，怎么样发生分辨率比较高且截面描摹优秀、线边际粗糙度低的光刻图形，成为光刻制作的共性难题。

  为此，华中科技大学与九峰山实验室联合研讨团队经过奇妙的化学结构设计，以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强呼应的化学扩大光刻胶”，终究得到光刻图画描摹与线边际粗糙度优秀、space图画宽度值正态分布标准差（SD）极小（约为0.05）、功能优于大多数商用光刻胶。且光刻显影各过程所需时刻悉数契合半导体量产制作中对吞吐量和出产功率的需求。

  依托九峰山实验室工艺渠道，该自主研制的光刻胶系统已完结产线开始工艺验证，并同步完结了各项技能指标检测优化，成功打通从技能研制到工业转化的全流程。该研讨成果有望为光刻制作的共性难题供给清晰的方向，一起为EUV光刻胶的着力开发做技能储备。