快科技4月2日音讯，据湖北九峰山实验室官微音讯，九峰山实验室、华中科技大学组成联合研讨团队，支撑华中科技大学团队打破“双非离子型光酸协同增强呼应的化学扩大光刻胶”技能。

  据介绍，该研讨经过奇妙的化学结构设计，以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强呼应的化学扩大光刻胶”，终究得到光刻图画描摹与线边际粗糙度优秀、space图画宽度值正态分布标准差（SD）极小（约为0.05）、功能优于大多数商用光刻胶。

  且光刻显影各过程所需时刻悉数契合半导体量产制作中对吞吐量和出产功率的需求。

  作为半导体制作不可或缺的资料，光刻胶质量和功能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的重要的条件。但光刻胶技能门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品寥寥无几。

  当半导体制作节点进入到100nm乃至是10 nm以下，怎么样发生分辨率比较高且截面描摹优秀、线边际粗糙度低的光刻图形，成为光刻制作的共性难题。

  该研讨效果有望为光刻制作的共性难题供给清晰的方向，一起为EUV光刻胶的着力开发做技能储备。

  上述具有自主知识产权的光刻胶系统在产线上完整了开始工艺验证，并同步完结了各项技能指标的检测优化，完成了从技能开发到效果转化的全链条打通。